डीईएफ कलर अनकट एचपीएचटी लैब ग्रो रफ डायमंड वीवीएस वीएस एसआई क्लैरिटी 3.0ct 5.0ct

डीईएफ कलर अनकट 3.0ct 5.0ct रफ डायमंड एचपीएचटी लैब ग्रो डायमंड्स वीवीएस वीएस एसआई क्लैरिटी

लैब निर्मित हीरेविवरण

प्रयोगशाला में विकसित हीरा, जिसे कृत्रिम हीरा, कृत्रिम हीरा के रूप में भी जाना जाता है, हीरे की प्रयोगशाला में निर्मित होता है, और प्राकृतिक हीरा रासायनिक संरचना, जाली संरचना, भौतिक गुणों में पूरी तरह से समान होता है।

उच्च तापमान और उच्च दबाव विधि (एचटीएचपी विधि) और सीवीडी विधि (रासायनिक वाष्प वर्षा विधि) संश्लेषण का उपयोग करते हुए प्रयोगशाला में विकसित हीरा कृत्रिम रूप से प्राकृतिक हीरा विकास पर्यावरण सिंथेटिक हीरा है, जिसे उगाए गए हीरे के रूप में भी जाना जाता है।प्रयोगशाला प्रजनन असली हीरे, भौतिक गुण, रासायनिक संरचना और क्रिस्टल संरचना और प्राकृतिक हीरा मूल है, दोनों शेयर 4 सी प्रमाणीकरण मानक, आईजीआई, जीआईए और अन्य अंतरराष्ट्रीय आधिकारिक संस्थानों द्वारा जारी प्रमाण पत्र द्वारा मूल्यांकन किया गया है।

हाल के वर्षों में प्राकृतिक कच्चे हीरे का उत्पादन घट रहा है, लेकिन हीरे की वैश्विक मांग बढ़ रही है।प्रयोगशाला निर्मित हीरे के लिए आपूर्ति और मांग असंतुलन अवसर पैदा करता है।

मानव प्रौद्योगिकी की प्रगति के साथ, वैज्ञानिकों को प्राकृतिक हीरे को प्रयोगशाला के वातावरण में स्थानांतरित करना होगा, हीरे के विकास के वातावरण का अनुकरण करने के लिए उच्च दबाव उच्च तापमान (एचपीएचटी) का उपयोग, बीज उगाने के लिए बजरी हीरे के आकार के साथ।

के पैरामीटर्सलैब निर्मित हीरे

सिंथेटिक रफ अनकट डायमंड परिचय

उच्च तापमान और उच्च दबाव संश्लेषण विधि को बीज उत्प्रेरक विधि भी कहा जाता है।ग्रेफाइट कम वोल्टेज स्थिरीकरण है, और हीरा (हीरा खनिज विज्ञान नाम) एक उच्च दबाव स्थिर चरण है।सीधे उच्च दबाव और तापमान की स्थिति में हीरे के लिए ग्रेफाइट संक्रमण, आम तौर पर 10 जीपीए, दबाव और 3000 ℃ से अधिक का तापमान लेते हैं।यदि धातु उत्प्रेरक (जैसे Fe, Ni, Mn, Co और उनके मिश्र) शामिल हैं, तो ग्रेफाइट को हीरा बनने के लिए आवश्यक तापमान और दबाव की स्थिति बहुत कम हो जाएगी, इसलिए वर्तमान उच्च तापमान और उच्च दबाव हीरा संश्लेषण विधियों में धातु शामिल है उत्प्रेरकबीज और हीरे के उत्पादों के बीच कार्बन स्रोत (एक ग्रेफाइट) में विलायक धातु संपर्क कोयले के रूप में।उच्च तापमान अंत में कार्बन स्रोत, कम तापमान अंत में बीज क्रिस्टल।उच्च तापमान में कार्बन स्रोत और घुलनशीलता कम तापमान से अधिक है, उच्च अंत से निम्न अंत तक कार्बन स्रोत के रूप में घुलनशीलता अंतर के बीच तापमान अंतर, ड्राइविंग बल का प्रसार, बीज क्रिस्टल वर्षा में कार्बन स्रोत धीरे-धीरे, हीरा क्रिस्टल बढ़ते हैं।चूंकि क्रिस्टल वृद्धि की प्रेरक शक्ति तापमान अंतर के कारण होती है, इसलिए इस विधि को तापमान अंतर विधि भी कहा जाता है।

मैंप्राकृतिक हीरे प्रकृति द्वारा बनाए जाते हैं, जो अरबों वर्षों के उच्च तापमान और दबाव का परिणाम है।कच्चे हीरे की प्रयोगशाला प्रयोगशाला में बनाई जाती है, आमतौर पर कुछ हफ़्ते की आवश्यकता होती है।रासायनिक अंतर समान है।

लैब निर्मित हीरेविवरण