व्हाइट डीईएफ कलर रॉ 3-4ct एचपीएचटी लैब ग्रो डायमंड्स वीवीएस वीएस एसआई क्लैरिटी

सफेद डीईएफ रंग वीवीएस वीएस एसआई स्पष्टता कच्चे 3-4ct एचपीएचटी प्रयोगशाला में उगाए गए हीरे

प्रयोगशाला में निर्मित हीरे विवरण

हीरा प्रौद्योगिकी के लिए सफलता हासिल करने के लिए अभी भी कम समय है। उद्योग के जीवन चक्र के दृष्टिकोण से, उद्योग विकास के शुरुआती चरण में है।

हाल के वर्षों में प्राकृतिक हीरे के उत्पादन में गिरावट आई है।आपूर्ति और मांग के बीच असंतुलन ने प्रयोगशाला निर्मित हीरे के लिए अवसर लाए हैं।.

प्रयोगशाला में उगाया गया हीरा, जिसे सिंथेटिक हीरा, कृत्रिम हीरा के नाम से भी जाना जाता है, प्रयोगशाला में हीरे का उत्पादन किया जाता है, और रासायनिक संरचना में प्राकृतिक हीरा, जाली संरचना,भौतिक गुण बिल्कुल समान हैं.

प्रयोगशाला में उगाया गया हीरा कृत्रिम रूप से अनुकरण किया गया है प्राकृतिक हीरा विकास वातावरण हीरे का संश्लेषण,एचटीएचपी पद्धति (उच्च तापमान और उच्च दबाव) और सीवीडी पद्धति (रासायनिक वाष्प वर्षा पद्धति) संश्लेषणप्रयोगशाला में उगाया गया हीरा असली हीरा है, भौतिक गुण, रासायनिक संरचना और क्रिस्टल संरचना और प्राकृतिक हीरा मूल रूप से समान हैं,दोनों साझा 4C प्रमाणन मानकों, आईजीआई, जीआईए जैसे अंतरराष्ट्रीय प्रामाणिक मूल्यांकन संस्थानों ने प्रमाणन जारी किया है।

प्रयोगशाला निर्मित हीरे के मापदंड

प्रयोगशाला निर्मित हीरे की विशेषताएं

वैज्ञानिक दृष्टिकोण से, खेती किए गए हीरे प्राकृतिक हीरे के समान हैं, केवल अंतर यह है कि वे कहाँ बने हैं।

उच्च तापमान और उच्च दबाव संश्लेषण विधि को बीज उत्प्रेरक विधि भी कहा जाता है।और हीरा (हीरा के लिए खनिज नाम) उच्च दबाव स्थिर चरण हैग्राफाइट से हीरे में सीधे संक्रमण के लिए बहुत उच्च दबाव और तापमान की आवश्यकता होती है, आम तौर पर 10GPa, 3000°C से अधिक दबाव और तापमान की आवश्यकता होती है।यदि धातु उत्प्रेरक शामिल हैं (जैसे Fe, Ni, Mn, Co और उनके मिश्र धातुओं), ग्रेफाइट के हीरे बनने के लिए आवश्यक तापमान और दबाव की स्थिति काफी कम हो जाएगी,तो हीरे संश्लेषण के वर्तमान उच्च तापमान और उच्च दबाव विधि धातु उत्प्रेरक शामिल हैंविलायक के रूप में धातु संपर्क कोयला कार्बन स्रोत (एक स्ट्रैंड ग्रेफाइट है) और हीरे के बीज उत्पाद के बीच स्थित है।कार्बन स्रोत उच्च तापमान अंत में है और बीज क्रिस्टल कम तापमान अंत में हैचूंकि उच्च तापमान के अंत में कार्बन स्रोत की घुलनशीलता कम तापमान के अंत में से अधिक है,तापमान अंतर से उत्पन्न विलेयता अंतर उच्च तापमान के छोर से निम्न तापमान के छोर तक कार्बन स्रोत के प्रसार के लिए प्रेरक बल बन जाता है, और कार्बन स्रोत धीरे-धीरे बीज क्रिस्टल पर झड़ता है, और हीरा क्रिस्टल धीरे-धीरे बढ़ता है। चूंकि क्रिस्टल विकास की प्रेरक शक्ति तापमान अंतर के कारण होती है,इस विधि को तापमान अंतर विधि भी कहा जाता है.

प्रयोगशाला में निर्मित हीरे विवरण